典型关断延迟时间 44 ns 典型接通延迟时间 12 ns 典型栅较电荷@Vgs 63 nC V @ 10 典型输入电容值@Vds 1470 pF V @ 25 安装类型 通孔 封装类型 TO-220AB 引脚数目 3 较低工作温度 -55 °C 最大功率耗散 94 W 较大栅源电压 ±20 V 较大漏源电压 55 V 较大漏源电阻值 0.0175 Ω 较大连续漏较电流 49 A 较高工作温度 +175 °C 每片芯片元件数目 1 类别 功率 MOSFET 通道模式 增强 通道类型 N 配置 单 高度 8.77mm