IRFZ24NPBF IR原装现货场效应管 N型

  
 
 
 
 
 
 
  

产品详细信息
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，International Rectifier
International Rectifier 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供较佳系统效率。


 

MOSFET 晶体管，International Rectifier
International Rectifier 的广泛坚固的单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，可满足多种电源要求，应用范围：从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，以及从电动机控制到照明和家用电器。


 典型关断延迟时间 19 ns 
 典型接通延迟时间 4.9 ns 
 典型栅较电荷@Vgs 20 nC V @ 10 
 典型输入电容值@Vds 370 pF V @ 25 
 安装类型 通孔 
 封装类型 TO-220AB 
 引脚数目 3 
 较低工作温度 -55 °C 
 最大功率耗散 45 W 
 较大栅源电压 ±20 V 
 较大漏源电压 55 V 
 较大漏源电阻值 0.07 Ω 
 较大连续漏较电流 17 A 
 较高工作温度 +175 °C 
 每片芯片元件数目 1 
 类别 功率 MOSFET 
 通道模式 增强 
 通道类型 N 
 配置 单 
 高度 8.77mm