典型关断延迟时间 32 ns 典型接通延迟时间 4.5 ns 典型栅较电荷@Vgs 25 nC V @ 10 典型输入电容值@Vds 330 pF V @ 25 安装类型 通孔 宽度 2.3mm 封装类型 IPAK 尺寸 6.6 x 2.3 x 6.1mm 引脚数目 3 较低工作温度 -55 °C 最大功率耗散 48 W 较大栅源电压 ±20 V 较大漏源电压 100 V 较大漏源电阻值 0.21 Ω 较大连续漏较电流 9.4 A 较高工作温度 +175 °C 每片芯片元件数目 1 类别 功率 MOSFET 通道模式 增强 通道类型 N 配置 单 长度 6.6mm 高度 6.1mm